Микросхемы серия 530, КМ530, М530, И530

Цена закупки от 1 р - до 25 рублей за корпус, пластмасса, керамика, не паяные с ровными выводами, с хорошо читаемыми надписями.

 К155 КР1533 К531 К580 КР580 К565 К573  М533 КР1531 К555

Небольшой ликбез, в таблице желтым помечены дип корпуса керамика с буквой "М", фото будут выставляться по мере попадания микросхем в руки

 Читаем и смотрим 555 серию

Читаем про 533 серию

СЕРИЯ 530 (SN54S)

Тип схемотехнической реализации выполняемых функций: ТТЛШ.

Типовые параметры; время задержки распространения 3 не; удельная потребляемая мощность 19 мВт/лэ; работа переключения 57 пДж; коэффициент разветвления по выходу 10; напряжение питания + 5 В.

Выпускается в металлокерамических корпусах с горизонтальным (530, К530) и вертикальным (М530) расположением выводов типа FP и DIP.

Отклонение напряжения питания от номинального значение

для К530 ±5%;

для 530. М530 ±10%.

Диапазон рабочих температур:

для К530 -10 + + 70°С;

для К530, М530 -60 + +125 °С.

Логические элементы серий 530, 531, SN54S, SN74S явились результатом совершенствования микроэлектронной технологии, позволившей на рубеже 60-х и 70-х годов начать изготовление в масштабах серийного производства выпрямляющих контактов металл-полупроводник, известных как переходы Шоггки.

Единственное схемотехническое отличие от элементов рассмотренного выше субсемейства заключается в использовании во всех каскадах, кроме эмиттерного повторителя на VT5, обратной связи. И как не парадоксально, но это существенное для ИС отличие из принципиальной схемы  не видно (Схема Дарлингтона на VT4, IT5 использовалась и в ранних сериях ТТЛ, поэтому относить ее к схемотехническому новшеству некорректно.).

Схема базового вентиля серий 530,531, SN54S, SN74S

Объясняется это тем изяществом "И", с которым технологи решили важную для интегральной схемотехники задачу. Металлический слой интегрального n-р-n транзистора, служащий для омического контакта с базой, был продлен в сторону коллектора, образовав с n-областью коллектора переход Шоттки. Таким образом без введения дополнительной технологической операции переход база-коллектор оказался зашунтированным диодом Шоттки. А это и есть та обратная связь, которая позволила в 5 раз сократить время формирования положительного фронта выходного импульса.

Идея использования нелинейной отрицательной обратной связи для повышения быстродействия транзисторных ключей состоит в следующем. Известно, что время, затрачиваемое на формирование фронта выходного импульса, определяется рассасыванием инжектированных неосновных носителей, когда транзистор переходит из насыщения в область отсечки. Поэтому разумным является решение предотвратить вхождение транзистора в режим глубокого насыщения. Это может быть достигнуто путем приложения к участку база-коллектор запирающего напряжения. В случае, если между базой и коллектором включить диод Шоттки, подсоединенный анодом к базе, то при отпирании транзистора на коллекторе в некоторый момент времени установится потенциал, отпирающий диод Шоттки. Напряжение отпирания перехода Шоттки 0,4-0,5 В, т.е. меньше, чем падение на переходе база-коллектор и, следовательно, диод Шоттки откроется раньше чем переход база-коллектор. Таким образом., коллекторный переход оказывается запертым и режим насыщения исключается.

Важным достоинством диодов Шоттки, помимо низкого порогового напряжения, является и то, что в них отсутствует инжекция неосновных носителей. В связи с чем при выключении не затрачивается время на рассасывание избыточного за ряда и время их переключения составляет около 0,1 не. Если бы в качестве элемента обратной связи удалось использовать р-п переход, то эффект от его применения был бы незначителен, так как опять потребовалось бы время на рассасывание неосновных носителей.

Возвращаясь к схеме базового вентиля (рис. 1.3) заметим, что замена антизвонных диодов с р-n переходами на диоды Шоттки приводит к повышению быстродействия ИС в силу описанных свойств диодов Шоттки, а применение в качестве нагрузки транзистора VT6 схемы Дарлингтона на VT4, VT5 приводит к повышению нагрузочной способности и улучшает динамические характеристики. Причем транзистор VT5 в процессе функционирования логического элемента в насыщение не входит и по этой причине перехода Шоттки не содержит.

Следующим субсемейством являются ИС серий 533, 555, SN54LS, SN74LS. В основе этих серий лежит логический элемент, содержащий на входе матрицу диодов Шоттки

Также будет указано в каких корпусах и какой производитель выпускал микросхемы, желтым помечено микросхемы с индексом "М" - дип корпус керамика

Полезные и интересные статьи

Читать про стабилизаторы серии к142, к1114, к1145, к1168, 286

На предыдущую страницу  На главную страницу  На следующую страницу