Диод |
U
обр, мах |
I, max
Максимальный прямой ток |
Фото |
кд212 |
кд212 |
200(100) в зависимости от буквы |
1 А |
Высокочастотный диод кд212 |
Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены
для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием
корпуса. Масса диода не более 1,5 г. |
кд213 |
кд213 |
200(100) в зависимости от буквы |
10 А |
Высокочастотный диод кд213 |
Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены
для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим
основанием корпуса. Масса диода не более 4 г. |
кд219
диоды Шоттки |
кд219 |
15(20) в зависимости от буквы |
10 А |
Высокочастотный диод шоттки с малым падением
напряжения кд219 |
Диоды 2Д219А кремниевые, эпитаксиальные, с
барьером Шотки. Предназначены для
применения в низковольтных вторичных источниках электропитания
на частотах 10...200 кГц. Выпускаются в
металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе. Масса диода не
более 8 г. Тип корпуса: КД-11. |
кд2997
диоды |
кд2997 |
|
|
Диод импульсный высокочастоный
|
кд2998
диоды Шоттки |
кд2998 |
15(30) в зависимости от буквы |
30 А |
Высокочастотный диод шоттки с малым падением напряжения. Предназначены для преобразования переменного напряжения
частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках
электропитания. Выпускаются в
металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 6 г. Тип корпуса:
КД-11. |
кд2999 |
|
|
Таблетки типа КД213, кд2997 |
Д310 |
д310 |
20 |
0,5 а |
Высокочастоный германиевый диод д310 |
Диод германиевый, диффузионный, импульсный.
Предназначен для применения в запоминающих и логических
устройствах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,7 г. |
КД209 |
кд209 |
|
|
Диод кд209 |
КД521,
КД522 |
кд521, кд522 |
12 (75) в зависимости от букв |
0,05 а |
Высокочастотный диод кд521 |
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные,
импульсные. Предназначены для применения
в импульсных устройствах. Выпускаются в
стеклянном корпусе с гибкими выводами. |
КС133-КС191 |
кс133-кс191
кс210-кс218
КС510-КС524 |
3,3-9,1в зависимости от обозначения
10-24 в |
0,05 |
Стабилитроны кс133-кс191, КС510-КС524 |
Стабилитроны кремниевые, сплавные, двуханодные,
малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального
напряжения 8,2 В в диапазоне токов стабилизации 3...17 мА и
двустороннего ограничения напряжения. Выпускаются в
пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип стабилитрона
приводятся на корпусе. Масса стабилитрона не более 0,3 г. |
Д814, Д818, КС510-КС524 |
Д814А-Д
Д818А-ДКС510-КС524 |
от 7 до 18 вольт в зависимости от маркировки |
0,05 |
Стабилитроны Д814, Д818, КС510-КС524 |
Стабилитроны серии Д814 кремниевые, диффузионно-сплавные, малой
мощности, прецизионные. Предназначены для стабилизации
напряжения с высокими требованиями к стабильности напряжения.
Д818 Стабилитроны кремниевые, диффузионно-сплавные, малой
мощности, прецизионные. Предназначены для стабилизации
номинального напряжения 9 В в диапазоне токов стабилизации 3:33
мА с высокими требованиями к стабильности напряжения в диапазоне
температур -60:+125 °С. Выпускаются в металлостеклянном корпусе
с гибкими выводами. КС510 - КС524 |
Диодные сборки 542НД1542НД5 |
542НД1
542НД2
542НД3
542НД4
542НД5К542НД1
К542НД2
К542НД3
К542НД4
К542НД5 |
402.16-7 |
01
02
03
04
05 |
Диодные сборки 542НД1542НД5 |
Микросхема 542НД1 представляет собой диодный
мост. Содержит 4 интегральных элемента. |
Диодные сборки 2Д222АС-2Д222ЕС |
2Д222АС
2Д222БС
2Д222ВС
2Д222ГС
2Д222ДС
2Д222ЕС |
4116.4-3 |
81
82
83
87
88
89 |
Диодные сборки 2Д222АС-2Д222ЕС |
Диодные сборки, состоящие каждая из двух
кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и
общим катодом. Предназначены для применения в низковольтных
источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. |