Транзисторы СССР редкие и удачныеПубликую транзисторы по мере их фотографирования и появления в моей коллекции. Куплю транзисторы Дата добавления информации: 10.09.2023 Биполярные BJTs Полевые JFET, MOSFET Транзисторы IGBT
Биполярные (BJTs) Биполярный транзистор - трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей - электронами и дырками. Слева кт808бм (брак без кристалла) - справа кт825г все ок (такой кристалл и подложка должны быть) Транзистор Моторолла 2N3773, какой кристалл должен быть внутри, подложка для отвода тепла Транзистор Моторолла 2N3716 Транзистор Моторолла 2N3055 Транзистор Моторолла 2N3773 П307 Транзистор П307 - кремниевый транзистор первый и последний из серии "П" кт3117а кт3117б, 2т3117а, 2т3117б кт3117а кт3117б, 2т3117а, 2т3117б Транзисторы 2Т3117А (кт3317а) кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах специального (общего) назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
кт3102 Транзисторы КТ3102А-Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры н-p-н усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклян ном корпусе с гибкими выводами. CBC547B Транзистор биполярный CBC547B - Минск (интеграл) аналог КТ3102Б импортный кристалл
кт3107 Транзисторы КТ3107 (а-л) кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
кт117 Транзистор КТ117 - эпитаксиально-планарный, однопереходный, кремниевый, с базой n-типа. Применяется в маломощных генераторах.
кт342 Транзисторы КТ342В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры н-p-н универсальные. Предназначены для применения в импульсных и других устройствах электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в метал лостекл ян ном корпусе с гибкими выводами. Транзисторы кт503е, кт502е (справа) КТ503Е, Транзисторы КТ503 средней мощности, кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены транзисторы для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях. КТ504А Транзистор 2Т505Б Транзистор 2Т506А (слева) КТ506Б (справа) КТ509А Попался в руки транзистор кт605б в позолоте, старого исполнения Транзистор биполярный КТ630В в никеле, в золоте Транзисторы серии КТ630 кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей. Легендарный массовый транзистор с большим KU КТ630Е Транзистор КТ630Д Транзистор КТ633Б Транзистор 2Т635А (слева) кт635б (справа) Транзисторы КТ639А 2Т708В Транзисторы 2Т708 кремниевые мезапланарные структуры р-п-р составные переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. КТ928Б блестящий и крашенный Транзисторы КТ928 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-п импульсные, высокочастотные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах электронной аппаратуры общего назначения. Транзистор 2Т830А 2Т831В Транзисторы 2Т831 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях в электронной аппаратуры специального назначения. Транзистор СВЧ 2Т974А Транзисторы серии 2Т974 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-н-р усилительные. Предназначены для применения в импульсных и линейных устройствах и преобразователях. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Транзистор 2N2219 и 2N2218 импортные производитель ST Microelectronics Транзисторы кт704 Транзисторы КТ704А кремниевые мезапланарные структуры н-р-н импульсные. Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом. Транзистор КТ812Б с диодом датчиком температуры Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГц при напряжении питания 27 В. Транзисторы 2Т912А, 2Т912Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Транзистор КТ947А Транзисторы КТ947А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры н-p-н генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,1 ...1,5 МГц при напряжении питания 27 В. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Транзистор кт921а, 2т921а Транзистор КТ979А Комплементарные пары транзисторов 2т825а - 2т827а Не следует забывать в транзисторах параллельно коллектору и эммитеру установлен защитный диод 100 в, 25 а, 125 вт Транзисторы КТ825Г кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. 2т825а2 пластик Комплементарные пары транзисторов кт825г - кт827а Транзисторы КТ825Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Вв транзисторах параллельно коллектору и эммитеру установлен защитный диод, 90в, 20а , 125 вт Транзисторы СВЧ кт904, 2т920а, кт914а Транзисторы КТ904А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения. 2Т866А 25 мгц, 20А, 160в, h21э - 15-100 Транзисторы 2Т866А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, источниках вторичного электропитания. Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
КТ814Г и КТ815Г
КТ816Г и КТ817Г КТ818Г и КТ819Г КТ818Г и КТ819Г в металлическом корпусе Транзисторы КТ818Г(м) и кт819г(м) кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. КТ8101Б КТ8102А Транзисторы КТ8101А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n и p-n-p (соответственно), универсальные. Предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения, преобразователях. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Транзистор КТ826Б Транзистор кт848а Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ8248А с демпфирующим диодом и резистором в цепи эмиттер-база) предназначены для применения в высоковольтных ключевых схемах телевизионных приемников, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Транзистор КТ840А Транзистор КТ808АМ ТК235-63-1-1 транзистор СССР Транзистор силовой кремниевый. Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом. Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 63А Максимальное напряжение коллектор-база - 100В Полевые (JFET, MOSFET) Полевой (униполярный) транзистор - полупроводниковый прибор, принцип
действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением
токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым
приложенным к затвору напряжением. Транзистор КП103В Транзистор КП301Б Транзистор полевой КП302Б (слева в маленьком корпусе), транзистор полевой 2П302Б (справа в высоком корпусе) Полевой транзистор КП303Г в позолоте Транзистор КП303В в никеле Транзистор КП505А в пластике 2П909В - транзистор полевой Транзисторы 2П909В кремниевые эпитаксиально-планарные
полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ,
англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) - трёхэлектродный силовой
полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной
полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и
полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как
мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в
системах управления электрическими приводами.
Куплю микросхемы и транзисторы для музея электроники в Au и в позолоте, в никеле, куплю микросхемы
На предыдущую страницу На главную страницу На следующую страницу
|
||