Справочные материалы по энергонезависимой памяти

Немного о наболевшем

Все отечественные производители электроники и их логотипы

Зарубежные производители

Микросхема Dallas DS1250Y

Выпуск микросхем энергонезависимой статической памяти принес фирме Dallas Semicunductor мировую известность. В корпусе микросхемы размещается кристалл микромощной памяти, встроенный литиевый источник питания и управляющая схема, контролирующая соответствие напряжения питания допустимым пределам. При падении напряжения питания ниже некоторых пределов подключается внутренняя батарейка. Кроме того, управляющая схема обеспечивает автоматическую защиту записи при пропадании питания, причем гарантируется сохранение данных в памяти в течение 10 лет при полном отсутствии внешнего питания. Кристалл имеет внутренний изолирующий слой, который позволяет электрически отключать литиевый источник при хранении изделия на складе. При первом включении слой автоматически разрушается, что обеспечивает сохранение энергии литиевого источника до момента использования.
Фирма Dallas Semiconductor выпускает энергонезависимую память как в виде модулей, совместимых по выводам с DIP корпусами аналогичных по объему типов SRAM и EEPROM памяти, так и в виде готовых SIMM модулей большого объема с гибкой конфигурацией 128Кх32, 256Кх16 или 512Кх8. Кроме того, фирма производит память в корпусе PCM (PowerCap Module), который представляет собой низкопрофильный модуль с 34 выводами для монтажа на поверхность, имеющий дополнительную съемную часть (PowerCap) DS9034PC с литиевой батарейкой.

Тип Организация
памяти
Vcc,
V
Перекл. внутр.
бат. - % Vcc
Тип корпуса Время доступа, нс Темпер.
диапазон
Примечание
Стандартная энергонезависимая статическая память
DS1220AB 2K x 8 5 ±5% DIP24 100,120,150,200 Com, Ind IL
DS1220AD 2K x 8 5 ±10% DIP24 100,120,150,200 Com, Ind IL
DS1220Y 2K x 8 5 ±10% DIP24 100,120,150,200 Com, Ind
 
DS1225AB 8K x 8 5 ±5% DIP28 70,85,150,170,200 Com, Ind IL
DS1225AD 8K x 8 5 ±10% DIP28 70,85,150,170,200 Com, Ind IL
DS1225Y 8K x 8 5 ±10% DIP28 150,170,200 Com, Ind
 
DS1230AB 32K x 8 5 ±5% DIP28, PCM34 70,85,100,120,150,200 Com, Ind IL
DS1230BL* 32K x 8 5 ±5% LPM34 70,100 Com, Ind IL
DS1230W 32K x 8 3.3 ±0.3V DIP28, PCM34 150 Com, Ind IL
DS1230Y 32K x 8 5 ±10% DIP28, PCM34 70,85,100,120,150,200 Com, Ind IL
DS1230YL* 32K x 8 5 ±10% LPM34 70,100 Com, Ind IL
DS1245AB 128K x 8 5 ±5% DIP32, PCM34 70,85,100,120 Com, Ind IL
DS1245BL* 128K x 8 5 ±5% LPM34 70,100 Com, Ind IL
DS1245W 128K x 8 3.3 ±0.3V DIP32, PCM34 100, 150 Com, Ind IL
DS1245Y 128K x 8 5 ±10% DIP32, PCM34 70,85,100,120 Com, Ind IL
DS1245YL* 128K x 8 5 ±10% LPM34 70,100 Com, Ind IL
DS1249AB 256K x 8 5 ±5% DIP32 70,85,100 Com, Ind IL
DS1249Y 256K x 8 5 ±10% DIP32 70,85,100 Com, Ind IL
DS1250AB 512K x 8 5 ±5% DIP32, PCM34 70,100 Com, Ind IL
DS1250BL* 512K x 8 5 ±5% LPM34 70,100 Com, Ind IL
DS1250W 512K x 8 3.3 ±0.3V DIP32, PCM34 150 Com, Ind IL
DS1250Y 512K x 8 5 ±10% DIP32, PCM34 70,100 Com, Ind IL
DS1250YL* 512K x 8 5 ±10% LPM34 70,100 Com, Ind IL
DS1258AB 128K x 16 5 ±5% DIP40 70,100 Com, Ind IL
DS1258W 128K x 16 3.3 ±0.3V DIP40 150 Com, Ind IL
DS1258Y 128K x 16 5 ±10% DIP40 70,100 Com, Ind IL
DS1265AB 1M x 8 5 ±5% DIP36 70,100 Com, Ind IL
DS1265Y 1M x 8 5 ±10% DIP36 70,100 Com, Ind IL
DS1270AB 2M x 8 5 ±5% DIP36 70,100 Com, Ind IL
DS1270Y 2M x 8 5 ±10% DIP36 70,100 Com, Ind IL
DS2227 128Kx32,256Kx16,512Kx8 5 ±10% 72pin SIP STIK 70,100,120 Com IL
Энергонезависимая статическая память с супервизором и контролем внутренней батареи
DS1330AB 32K x 8 5 ±5% PCM34 70,100 Com, Ind IL
DS1330WP 32K x 8 3.3 ±0.3V PCM34 150 Com, Ind IL
DS1330Y 32K x 8 5 ±10% PCM34 70,100 Com, Ind IL
DS1345AB 128K x 8 5 ±5% PCM34 70,100 Com, Ind IL
DS1345WP 128K x 8 3.3 ±0.3V PCM34 150 Com, Ind IL
DS1345Y 128K x 8 5 ±10% PCM34 70,100 Com, Ind IL
DS1350AB 512K x 8 5 ±5% PCM34 70,100 Com, Ind IL
DS1350WP 512K x 8 3.3 ±0.3V PCM34 150 Com, Ind IL
DS1350Y 512K x 8 5 ±10% PCM34 70,100 Com, Ind IL
Энергонезависимая статическая память с часами реального времени
DS1243Y 8K x 8 5 ±10% DIP28 120,150,200 Com Phantom RTC
DS1244Y 32K x 8 5 ±10% DIP28 120,150,200 Com Phantom RTC
DS1244Y 32K x 8 5 ±10% DIP28,PCM34 70;100 Com Phantom RTC
DS1244W 32K x 8 3.3 ±0.3V DIP28,PCM34 120;150 Com Phantom RTC
DS1248Y 128K x 8 5 ±10% DIP32 120,150,200 Com Phantom RTC
DS1251Y 512K x 8 5 ±10% DIP32 120;150 Com Phantom RTC
DS1543 8K x 8 5 ±10% DIP28,PCM34 70;100 Com RTC,WDT,Alarm
DS1543W 8K x 8 3.3 ±0.3V DIP28,PCM34 120;150 Com RTC,WDT,Alarm
DS1553 8K x 8 5 ±10% DIP28,PCM34 70;100 Com RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1553W 8K x 8 3.3 ±0.3V DIP28,PCM34 120,150 Com RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1554 32K x 8 5 ±10% DIP32,PCM34 70,100 Com RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1554W 32K x 8 3.3 ±0.3V DIP32,PCM34 120,150 Com RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1556 128K x 8 5 ±10% DIP32,PCM34 70,100 Com RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1556W 128K x 8 3.3 ±0.3V DIP32,PCM34 120,150 Com RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1557P 512K x 8 5 ±10% PCM34 70,100 Com RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1557WP 512K x 8 3.3 ±0.3V PCM34 120,150 Com RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1642 2K x 8 5 ±10% DIP24 70,100,120,150 Com RTC
DS1643 8K x 8 5 ±10% DIP28,PCM34 70,100,120,150 Com RTC
DS1644 32K x 8 5 ±10% DIP28,PCM34 120,150 Com RTC
DS1646 128K x 8 5 ±10% DIP32,PCM34 120,150 Com RTC
DS1647 512K x 8 5 ±10% DIP32,PCM34 120,150 Com RTC
DS1742 2K x 8 5 ±10% DIP24 70,100 Com RTC-Y2K
DS1742W 2K x 8 3.3 ±0.3V DIP24 120,150 Com RTC-Y2K
DS1743 8K x 8 5 ±10% DIP28,PCM34 70,100 Com RTC-Y2K
DS1743W 8K x 8 3.3 ±0.3V DIP28,PCM34 120,150 Com RTC-Y2K
DS1744 32K x 8 5 ±10% DIP28,PCM34 70,100 Com RTC-Y2K
DS1744W 32K x 8 3.3 ±0.3V DIP28,PCM34 120,150 Com RTC-Y2K
DS1746 128K x 8 5 ±10% DIP32,PCM34 70,100 Com RTC-Y2K
DS1746W 128K x 8 3.3 ±0.3V DIP32,PCM34 120,150 Com RTC-Y2K
DS1747 512K x 8 5 ±10% DIP32,PCM34 70,100 Com RTC-Y2K
DS1747W 512K x 8 3.3 ±0.3V DIP32,PCM34 120,150 Com RTC-Y2K

Примечание:

LPM (Low Profile Module) - низкопрофильный модуль с 34 выводами, помещаемый в стандартную 68 выводную панельку для микросхем в корпусе PLCC
PCM (Power Cap Module) - низкопрофильный модуль с 34 выводами для монтажа на поверхность, имеющий дополнительную съемную часть (power cap) DS9034PC с литиевой батарейкой. Все приборы в таком корпусе имеют в обозначении суффикс P
RTC (Real Time Clock) - часы реального времени
RTC-Y2K - Y2K-совместимые часы реального времени
WDT (Watch Dog Timer) - сторожевой таймер
Alarm - генерация прерывания при совпадении текущего времени с заданным
IL - изолирующий слой для отключения внутренней батареи до первого включения Vcc
Все приборы, помеченные знаком * не рекомендуется использовать для новых разработок


Cross-reference NV SRAM

Dallas
Semiconductor
Benchmarq STMicroelectronics Memory
Density
DS1220AB-XXX
 
M48Z02-XXXPC1 2K x 8
DS1220AB-XXX-IND
 
M48Z02-XXXPC6 2K x 8
DS1220AD-XXX
 
M48Z12-XXXPC1 2K x 8
DS1220AD-XXX-IND
 
M48Z12-XXXPC6 2K x 8
DS1225AB-XXX bq4010MA-XXX M48Z08-XXXPC1 8K x 8
DS1225AB-XXX
 
M48Z58-XXXPC1 8K x 8
DS1225AB-XXX-IND bq4010MA-XXXN
 
8K x 8
DS1225AD-XXX bq4010YMA-XXX M48Z18-XXXPC1 8K x 8
DS1225AD-XXX
 
M48Z58Y-XXXPC1 8K x 8
DS1225AD-XXX-IND bq4010YMA-XXXN M48Z18-XXXPC6 8K x 8
DS1230AB-XXX bq4011MA-XXX M48Z30-XXXPM1 32K x 8
DS1230AB-XXX
 
M48Z32-XXXPC1 32K x 8
DS1230AB-XXX
 
M48Z35-XXXPC1 32K x 8
DS1230AB-XXX-IND bq4011MA-XXXN
 
32K x 8
DS1230Y-XXX bq4011YMA-XXX M48Z30Y-XXXPM1 32K x 8
DS1230Y-XXX
 
M48Z32Y-XXXPC1 32K x 8
DS1230Y-XXX
 
M48Z35Y-XXXPC1 32K x 8
DS1230Y-XXX-IND bq4011YMA-XXXN
 
32K x 8
DS1245AB-XXX bq4013MA-XXX M48Z128-XXXPM1 128K x 8
DS1245AB-XXX-IND bq4013MA-XXXN
 
128K x 8
DS1245Y-XXX bq4013YMA-XXX M48Z128Y-XXXPM1 128K x 8
DS1245Y-XXX-IND bq4013YMA-XXXN
 
128K x 8
DS1249AB-XXX bq4014MB-XXX M48Z256-XXXPL1 256K x 8
DS1249Y-XXX bq4014YMB-XXX M48Z256Y-XXXPL1 256K x 8
DS1250AB-XXX bq4015MA-XXX M48Z512-XXXPM1 512K x 8
DS1250Y-XXX bq4015YMA-XXX M48Z512Y-XXXPM1 512K x 8
DS1258AB-XXX bq4024MA-XXX M46Z128-XXXPM1 128K x 8
DS1258Y-XXX bq4024YMA-XXX M46Z128Y-XXXPM1 128K x 8
DS1265AB-XXX bq4016MC-XXX
 
1M x 8
DS1265Y-XXX bq4016YMC-XXX
 
1M x 8
DS1270AB-XXX bq4017MC-XXX
 
2M x 8
DS1270Y-XXX bq4017YMC-XXX
 
2M x 8

 

Аналоги логических микросхем

Справочник по ПЗУ различным

 

 

 

 

 

 

Полезные и интересные статьи

На предыдущую страницу  На главную страницу  На следующую страницу