Интегральные стабилизаторы напряжения к1114 и 286

к1114еу1, к1114еу4 км1114еу1 м1114еу1 к286ен1 к286ен2 к286ен3 к286ен4 к286ен5 к286ен6

К1114ЕУ1

Фото микросхем из музея

К1114ЕУ1 - Микросхемы представляют собой многофункциональную схему для управления импульсными источниками вторичного электропитания (двухтактный ШИМ-контроллер).

Маркировка

М1114ЕУ1  - большой корпус (на фото)

К1114ЕУ1  - большой корпус (на фото)

К57 -  большой корпус (на фото)

К59 - малый корпус

Функциональная схема К1114ЕУ1: НСН - непрерывный стабилизатор напряжения; +AU - компаратор повышения напряжения; -AU - компаратор понижения напряжения; ГПН - генератор пилообразного напряжения; ШИМ - компаратор широтно-импульсной модуляции; УР - усилитель рассогласования; ТФ - триггер-фазорасширитель; ТЗ - компаратор токовой защиты; ЛЭ1, ЛЭ2 - логические элементы; VT1, VT2 -транзисторы.

Назначение выводов: 1 - эмиттер выходного транзистора VT2; 2 -коллектор выходного транзистора VT2; 3 - вход симметрирования; 4 -напряжение питания; 5 - опорное напряжение; 6 - вход контроля повышения напряжения; 7 - выход контроля повышения напряжения; 8 - вход токовой защиты (+); 9 - вход токовой защиты (-); 10,17 - свободные; 11 - вход обратной связи; 12 - общий; 13 - вход частотной коррекции; 14 - выход усилителя рассогласования; 15 - вход контроля снижения напряжения; 16 - выход контроля снижения напряжения; 18 - для резистора задания частоты; 19 - для резистора задания паузы; 20 - для конденсатора задания частоты; 21 - вход внешней синхронизации; 22 - выход компаратора ШИМ; 23 - коллектор выходного транзистора VT1; 24 - эмиттер выходного транзистора VT1.

Электрические параметры

Напряжение питания..........................................................................10...20 В
Опорное напряжение:
- К1114ЕУ1А..................................................................................2...3 В
- К1114ЕУ1Б..................................................................................1,8...2,8 В
Остаточное напряжение ....................................................................< 1,5 В
Напряжение гистерезиса узла контроля
повышения напряжения.....................................................................< 100 мВ
Напряжение гистерезиса узла контроля понижения напряжения:
- К1114ЕУ1А..................................................................................< 100 мВ
- К1114ЕУ1Б..................................................................................< 150 мВ
Напряжение гистерезиса узла защиты по току..................................< 100 мВ
Размах треугольного напряжения .....................................................2...3 В
Ток потребления:
- К1114ЕУ1А..................................................................................< 30 мА
- К1114ЕУ1Б..................................................................................< 40 мА
Ток закрытой микросхемы:
- К1114ЕУ1А..................................................................................< 20 мкА
- К1114ЕУ1Б..................................................................................< 50 мкА
Длительность фронта импульса выходного тока:
- К1114ЕУ1А..................................................................................<100 не
- К1114ЕУ1Б..................................................................................<150 не
Длительность среза импульса выходного тока:
- К1114ЕУ1А..................................................................................<100 не
- К1114ЕУ1Б..................................................................................<150 не
Нестабильность по напряжению источника опорного тока:
- К1114ЕУ1А..................................................................................<0,2%
- К1114ЕУ1Б..................................................................................<0,3%
Коэффициент усиления напряжения усилителя
рассогласования..................................................................................20...100
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Напряжение питания..........................................................................10...20 В
Значение статического потенциала....................................................500 В
Максимальное входное коммутируемое напряжение:
- К1114ЕУ1А..................................................................................36 В
- К1114ЕУ1Б..................................................................................32 В
Максимальный выходной ток:
- К1114ЕУ1А..................................................................................100 мА
- К1114ЕУ1Б..................................................................................80 мА
Максимальная коммутируемая мощность:
К1114ЕУ1А
ПрИ Ukom.bx = 0...20 В....................................................................2 Вт
- при Uком.их = 36 В.........................................................................1,5 Вт
К1114ЕУ1Б
- при Ukom bx = 0...20 В....................................................................1,6 Вт
- при Ukom bx = 32 В.........................................................................1,3 Вт
Максимальная рассеиваемая мощность в диапазоне
температур корпуса - 45...+ 85 "С........................................................0,55 Вт
Частота коммутации:
- К1114ЕУ1А..................................................................................1...200 кГц
- К1114ЕУ1Б..................................................................................1...100 кГц
Температура окружающей среды .....................................................-45...+85 "С

К1114ЕУ4 - аналог TL494

1 - неинвертирующий вход ОУ 1; 2 - инвертирующий вход ОУ 1; 3 - выход усилителей; 4 - установка паузы; 5 - вывод задания частоты (C); 6 - вывод задания частоты (R); 7 - общий; 8 - коллектор VT1; 9 - эмиттер VT1; 10 - эмиттер VT2; 11 - коллектор VT2; 12 - напряжение питания; 13 - блокировка двухтактного выхода; 14 - выход источника опорного напряжения; 15 - инвертирующий вход ОУ 2; 16 - неинвертирующий вход ОУ 2;

Схема ключения

Электрические параметры

1 Напряжение питания 12 В plus minus 5 %
2 Опорное напряжение 4,5...5,5 В
3 Остаточное напряжение не более 1,3 В
4 Ток закрытой микросхемы не более 100 мкА
5 Ток потребления не более 20 мА
6 Длительность фронта импульса выходного тока не более 100 нс
7 Длительность среза импульса выходного тока не более 200 нс
8 Температурный коэффициент опорного напряжения не более 0,03 %/ ° C
9 Нестабильность по напряжению ИОП не более 0,05 %
10 Нестабильность по току ИОП не более 1 %

Рекомендации по применению

Допускается подключение нагрузки в цепь коллектора или эмиттера выходных транзисторов. При включении нагрузки в цепь эмиттера выходных транзисторов остаточное напряжение не превышает 3 В при Iвых=200 мА. Допускается параллельная работа выходных транзисторов на общую нагрузку. Для осуществления синхронной работы выходных транзисторов и увеличения выходного тока до 0,4 А необходимо соеденить вывод 13 с общей шиной. Допускается использовать источник опорного напряжения в качестве маломощного стабилизатора фиксированного напряжения с выходным током до 5 мА. Допускается изменение коэффициентов усиления и частотной коррекции с помощью резисторов и конденсаторов, включаемых между выходом усилителей (вывод 3) и их входами (выводы 1,2 и 15,16). При этом выходной ток усилителей не должен превышать 1 мА, а входной 0,3 мА. Допускается монтаж ИС в аппаратуру 2 раза, демонтаж 1 раз. Допустимое значение статического потенциала 200 В.

Микросхема к1114сп1а (к75)

Микросхемы представляет собой схему контроля режимов работы источников питания и предназначены для построения схем контроля напряжений и токов источников питания, уровней сигналов постоянного и переменного токов, узлов защиты электронных схем, RC-генераторов, одновибраторов, схем задержки и формирования импульсов. В состав схемы входят компараторы контроля напряжения К1 и К2, компаратор контроля тока К3, ИОН и стабилизатор напряжения.

Функциональная схема

Схема включения

Электрические параметры

1 Опорное напряжение при Uп=8 В, Iвых.комп=0
К1114СП1А
К1114СП1Б
3,8...4,2 В
3,7...4,3 В
2 Остаточное напряжение при Uп=8 В, Iвых.комп=10 мА не более 0,8 В
3 Напряжение гистерезиса при Uп=8 В, Iвых.комп=0 Uком=5 В
К1114СП1А
К1114СП1Б
не более 5 мВ
не более 10 мВ
4 Напряжение срабатывания
К1114СП1А
К1114СП1Б
-5...+5 мВ
-10...+10 мВ
5 Входное напряжение
выводы 1,2,13,14
выводы 3,4
-0,1...+4,5 В
-0,1...+2,5 В
6 Ток закрытой микросхемы при Uп=36 В, Iвых.комп=0 Uком=36 В
К1114СП1А
К1114СП1Б
не более 100 мкА
не более 150 мкА
7 Входной ток компаратора при Uп=8 В, Iвых.комп=0 Uком=5 В не более 5 мкА
8 Выходной ток ИОН и компараторов 10 мкА
9 Ток потребления при Uп=36 В, Iвых.комп=0, Uком=5 В не более 8 мА
10 Нестабильность по напряжению ИОП при Uп=8 В, Iвых.комп=0
К1114СП1А
К1114СП1Б
не более 0,01%/B
не более 0,02%/B
11 Нестабильность по току ИОП при Uп=8 В, Iвых.комп=0 не более 10%/А
12 Время задержки переключения 5 мкс
13 Длительность фронта и спада импульса выходного напряжения 2 мкс
14 Температурный коэффициент ИОП при Uп=8 В, Iвых.комп=0
К1114СП1А
К1114СП1Б
не более 0,01%/ ° C
не более 0,02%/ ° C

Предельно допустимые режимы эксплуатации

1 Напряжение питания 8...36 В
2 Коммутироемое напряжение не более 36 В
3 Выходной ток ИОП не более 10 мА
4 Выходной ток компаратора не более 10 мА
5 Рассеиваемая мощность
при T=-10...+40 ° C
при T=+70 ° C
0,8 Вт
0,4 Вт
6 Температура окружающей среды -10...+70 ° C

Фото микросхем из музея